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公开(公告)号：CN119851717A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202410988976.8
申请日：2024-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C11/4097 , G11C7/06
Abstract: 公开了一种偏移补偿读出放大器和包括其的存储器件。一种用于感测和放大存储在存储单元中的数据的读出放大器包括：第一读出放大器电路，所述第一读出放大器电路包括连接到第一感测驱动信号线的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；以及第二读出放大器电路，所述第二读出放大器电路包括连接到第二感测驱动信号线的第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。所述读出放大器被配置为在感测和放大存储在所述存储单元中的所述数据之前执行偏移补偿操作，所述偏移补偿操作包括基于所述第一NMOS晶体管与所述第二NMOS晶体管之间的阈值电压差的第一偏移补偿操作，以及基于所述第一PMOS晶体管与所述第二PMOS晶体管之间的阈值电压差的第二偏移补偿操作。
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