公开(公告)号：CN119836025A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411413016.5

申请日：2024-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟勋 ,  金廷玹 ,  安正言卓 ,  李允基 ,  李准植

IPC: H10F39/18

Abstract: 一种图像传感器包括半导体衬底和器件隔离层，半导体衬底包括多个像素、第一表面和与第一表面相对的第二表面，器件隔离层在沟槽中，沟槽穿过半导体衬底的第一表面和第二表面并将像素彼此分离。器件隔离层可以包括从第一表面朝向第二表面延伸的导电分隔层、插置在导电分隔层与半导体衬底之间的绝缘衬垫、以及在从第二表面到第一表面的方向上延伸并且接触导电分隔层的盖分隔层。

公开(公告)号：CN116705811A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310198261.8

申请日：2023-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李准植 ,  金廷玹 ,  李京镇 ,  郑允智 ,  朴钟勋 ,  李允基

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；电路互连结构，设置在衬底的第一表面下方；组，设置在衬底中，并且包括多个像素衬底区；以及隔离结构，设置在衬底中，其中，隔离结构包括围绕组的隔离部、以及从隔离部延伸到组的多个像素衬底区之间的区域的延伸部，其中，在组中，延伸部具有彼此间隔开的端部，并且其中，至少一个延伸部包括宽度在远离隔离部的方向上减小的宽度减小区。

公开(公告)号：CN116799019A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310271574.1

申请日：2023-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑允智 ,  金廷玹 ,  李京镇 ,  李准植 ,  朴钟勋 ,  李允基

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，其包括第一表面和第二表面；像素隔离结构，其穿透衬底、布置在从衬底的第一表面延伸到第二表面的像素隔离沟槽中并且限定像素区域；在像素区域上的多个子像素区域；在多个子像素区域上的多个光电转换区域；在多个子像素区域之间的信号分离结构，信号分离结构在从衬底的第二表面朝着衬底的第一表面延伸到衬底中的信号分离沟槽中；以及在衬底的第二表面上的微透镜，微透镜与像素区域对应，其中，信号分离结构包括绝缘层，并且像素隔离结构包括导电层；以及在导电层和衬底之间的衬垫层。

公开(公告)号：CN117995858A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311460190.0

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金廷玹 ,  朴钟勋 ,  李允基 ,  李准植

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括对应于多个第一子像素的多个第一光电转换区、在所述多个第一光电转换区上方的第一滤色器区、以及在第一滤色器区上方的第一微透镜，其中，第一滤色器区包括在第一滤色器区的中心部分处的第一栅格结构，第一栅格结构的高度小于第一滤色器区的高度。