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发明公开
存储器件、存储系统及其操作方法审中-实审

公开(公告)号：CN114512170A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202111358539.0

申请日：2021-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉奭 , 张俊锡 , 金炯坤 , 李先庸

IPC: G11C16/34 , G11C16/10

Abstract: 一种操作存储器件的方法，该方法包括：执行第一编程操作以形成多个第一阈值电压分布；以及基于偏移信息，通过使用粗略验证电压和精细验证电压来执行第二编程操作，以从多个第一阈值电压分布形成分别与多个编程状态对应的多个第二阈值电压分布，其中，偏移信息包括根据第二阈值电压分布的特性而变化的多个偏移。

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