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公开(公告)号：CN115224049A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210335802.2
申请日：2022-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；第一掩埋绝缘层，设置在基底上；第一阱，在由第一元件分离膜限定的第一区域中设置在第一掩埋绝缘层上，并且包括沿着第一掩埋绝缘层的上表面延伸的第一部分和在第一部分的一侧处在从基底朝向第一掩埋绝缘层的方向上延伸的第二部分；第二掩埋绝缘层，设置在第一阱的第一部分上；第一半导体膜，设置在第二掩埋绝缘层上；第一栅极结构，位于第一半导体膜上；以及第二元件分离膜，位于第一阱的第一部分上，将第二掩埋绝缘层和第一半导体膜与第一阱的第二部分分离，其中，第一阱的第二部分的上表面与第一元件分离膜的上表面设置在同一平面上。
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