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公开(公告)号：CN114334993A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110964976.0
申请日：2021-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 一种存储器件，包括：单元堆叠结构，在衬底上，该单元堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和栅极图案；构道结构，穿过单元堆叠结构，该构道结构沿竖直方向延伸；虚设结构，在衬底上，该虚设结构与单元堆叠结构间隔开，并且该虚设结构包括交替堆叠的绝缘层和金属图案；第一通孔接触，穿过虚设结构，该第一通孔接触沿竖直方向延伸；以及第一封盖绝缘图案，在第一通孔接触的侧壁和虚设结构中的金属图案中的每一个之间，该第一封盖绝缘图案将第一通孔接触与金属图案中的每一个绝缘。
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