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发明公开
包括切割结构的半导体器件及其制造方法和包括其的电子系统审中-实审

公开(公告)号：CN115440579A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210228122.0

申请日：2022-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佐燮 , 甄东敏 , 朴荷颜 , 曹永善 , 许昌铉

IPC: H01L21/304 , H01L27/11524

Abstract: 本公开的半导体器件包括：外围电路结构，包括外围晶体管；半导体层，在外围电路结构上；源极结构，在半导体层上；栅极堆叠结构，在源极结构上，该栅极堆叠结构包括字线、栅极上线和阶梯结构；存储器沟道结构和虚设沟道结构，延伸穿过栅极堆叠结构；切割结构，延伸穿过栅极上线；以及位线，与存储器沟道结构重叠。切割结构包括窄部和比窄部更靠近阶梯结构的宽部。窄部的宽度小于宽部的宽度。

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