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公开(公告)号：CN112002690B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010332676.6
申请日：2020-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/82
Abstract: 提供了包括鳍形有源区的集成电路装置及其形成方法。所述装置可以包括鳍形有源区、鳍形有源区上的多个半导体图案、多个半导体图案上的栅电极以及分别位于栅电极的相对侧上的源极/漏极区。栅电极可以包括在最上面的半导体图案上延伸的主栅极部分以及在多个半导体图案中的两个相邻半导体图案之间延伸的子栅极部分。子栅极部分可以包括子栅极中心部分和子栅极边缘部分。在水平截面图中，子栅极中心部分在第一方向上的第一宽度可以小于子栅极边缘部分中的一个子栅极边缘部分在第一方向上的第二宽度。
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公开(公告)号：CN114823844A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111212561.4
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一源极/漏极；第二源极/漏极，在水平方向上与所述第一源极/漏极隔离以不直接接触；沟道，在所述第一源极/漏极与所述第二源极/漏极之间延伸；栅极，围绕所述沟道；上内间隔物，在所述栅极与所述第一源极/漏极之间并且在所述沟道上方；以及下内间隔物，在所述栅极与所述第一源极/漏极之间并且在所述沟道下方，其中，所述沟道包括：基部，在所述第一源极/漏极与所述第二源极/漏极之间延伸；上突出部，从所述基部的顶表面向上突出；以及下突出部，从所述基部的底表面向下突出，并且所述上突出部的顶端与所述下突出部的底端隔离以不直接接触所沿的方向相对于竖直方向倾斜。
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公开(公告)号：CN107977164A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710991881.1
申请日：2017-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴俊范
CPC classification number: G06F3/061 , G06F3/0655 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F13/24 , G06F3/0614 , G06F3/0653 , G06F3/0658 , G06F13/1642 , G06F13/1668
Abstract: 本申请公开了一种数据存储装置及其操作方法。数据存储装置包括控制器和一个或多个存储元件。控制器执行主机的命令、更新主机的完成队列以及将向主机传递中断。控制器监控完成队列尾门铃和完成队列头门铃，并基于监控结果产生中断。数据存储装置可以考虑到完成队列的状态来产生中断。因此，数据存储装置可以提高主机的性能。
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公开(公告)号：CN116804974A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310296084.7
申请日：2023-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0893
Abstract: 提供电子系统和存储装置及其操作方法。所述电子系统包括：主机，提供命令和具有源数据结构的源数据；计算资源装置，关于目的地数据进行操作，目的地数据具有与源数据结构不同的目的地数据结构；以及存储装置。存储装置从主机接收所述命令，并且包括：存储介质，存储源数据；以及数据重组单元，将源数据转换为重组的源数据；其中，存储装置将重组的源数据输出到计算资源装置作为目的地数据。
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公开(公告)号：CN108572798B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201810194797.1
申请日：2018-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴俊范
IPC: G06F3/06
Abstract: 根据本发明构思的示例实施例的存储器控制器包括：系统总线；第一直接存储器存取引擎，其被构造为通过系统总线将数据写入缓冲存储器中；监听器，其被构造为通过在系统总线周围监听，输出指示数据是否被存储在缓冲存储器中的通知信息；以及第二直接存储器存取引擎，其被构造为响应于来自监听器的通知信息将写入在缓冲存储器中的数据发送至主机。本发明构思还提供了一种存储装置以及一种操作存储装置的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107918525B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201710873594.0
申请日：2017-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开提供了能执行对等通信的存储设备和包括其的数据存储系统。一种能够与第二存储设备进行对等通信的第一存储设备包括：用于存储第一操作代码的第一提交队列；用于存储第一指示信号的第一完成队列；以及第一控制器，其被配置为读取存储在第一提交队列中的第一操作代码，基于第一操作代码创建包括第二操作代码的命令，向第二存储设备发出该命令，并且接收并处理从第二存储设备发送的第二完成信号。
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公开(公告)号：CN111952370A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010159988.1
申请日：2020-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：有源图案，所述有源图案位于衬底上，所述有源图案在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸；栅极结构，所述栅极结构位于所述有源图案上，所述栅极结构在平行于衬底的上表面并且与所述第一方向相交的第二方向上延伸；沟道，所述沟道在垂直于衬底的上表面的第三方向上彼此间隔开，每个所述沟道延伸穿过所述栅极结构；源极/漏极层，所述源极/漏极层位于所述有源图案的与所述栅极结构相邻的部分上，所述源极/漏极层接触所述沟道；以及牺牲图案，所述牺牲图案位于所述有源图案的所述部分在所述第二方向上的相对边缘中的每一边缘的上表面上，所述牺牲图案接触所述源极/漏极层的侧壁的下部并且包含硅锗。
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公开(公告)号：CN111952358A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010411201.6
申请日：2020-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L27/02
Abstract: 一种半导体器件包括：第一和第二鳍型图案；与第一和第二鳍型图案交叉的第一和第二栅极图案；第三和第四栅极图案，在第一和第二栅极图案之间且与第一鳍型图案交叉；第五栅极图案，与第二鳍型图案交叉；第六栅极图案，与第二鳍型图案交叉；第一至第三半导体图案，分别设置在第一栅极图案和第三栅极图案之间、第三栅极图案和第四栅极图案之间以及第四栅极图案和第二栅极图案之间；以及第四至第六半导体图案，分别设置在第一栅极图案和第五栅极图案之间、第五栅极图案和第六栅极图案之间以及第六栅极图案和第二栅极图案之间。第一半导体图案至第四半导体图案和第六半导体图案电连接到布线结构，第五半导体图案不连接到布线结构。
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公开(公告)号：CN117093517A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310552434.1
申请日：2023-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴俊范
IPC: G06F13/16 , G06F13/26 , G06F13/42 , G06F12/0877
Abstract: 提供了存储装置、存储装置的操作方法以及包括存储装置的电子系统。所述存储装置包括非易失性存储器件以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：控制所述非易失性存储器件，执行来自主机的命令，从所述主机的存储器和至少一个高速缓存之中选择针对命令的完成条目要被写入的位置，以及向所述主机发送中断，所述中断包括指示所述完成条目要被写入的所述位置的中断向量号。
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公开(公告)号：CN114629849A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111529213.X
申请日：2021-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴俊范
IPC: H04L47/21 , H04L47/2425 , H04L67/1097 , G06F3/06
Abstract: 一种存储设备，包括：缓冲存储器，被配置为暂时存储数据；多个非易失性存储器设备；存储控制器电路，被配置为通过监视缓冲存储器的状态来生成缓冲存储器状态信息，并且在基于所生成的缓冲存储器状态信息设置非易失性存储器的缓冲存储器数据传输授权的拥塞控制模式下操作；以及第一接口电路，被配置为与存储控制器电路和多个非易失性存储器设备通信，其中，第一接口电路是基于以太网接口而连接到网络的。
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