公开(公告)号：CN111192923A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201910489544.1

申请日：2019-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张星旭 ,  李承勳 ,  郑秀珍 ,  曺荣大

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：有源区，限定在基底中；至少一个沟道层，在有源区上；栅电极，与有源区交叉，在有源区上，并围绕所述至少一个沟道层；以及成对的源极/漏极区，与栅电极的两侧相邻，在有源区上，并与所述至少一个沟道层接触，其中，成对的源极/漏极区包括选择性外延生长(SEG)层，以及成对的源极/漏极区中的每个在第一方向上的最大宽度是有源区在第一方向上的宽度的1.3倍或者更小。

公开(公告)号：CN111192923B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN201910489544.1

申请日：2019-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张星旭 ,  李承勳 ,  郑秀珍 ,  曺荣大

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：有源区，限定在基底中；至少一个沟道层，在有源区上；栅电极，与有源区交叉，在有源区上，并围绕所述至少一个沟道层；以及成对的源极/漏极区，与栅电极的两侧相邻，在有源区上，并与所述至少一个沟道层接触，其中，成对的源极/漏极区包括选择性外延生长(SEG)层，以及成对的源极/漏极区中的每个在第一方向上的最大宽度是有源区在第一方向上的宽度的1.3倍或者更小。

公开(公告)号：CN115706149A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210628825.2

申请日：2022-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奇奂 ,  柳廷昊 ,  李峭蒑 ,  全勇昱 ,  曺荣大

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，具有下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的片状图案；源/漏图案，在下部图案上，源/漏图案与片状图案接触；以及栅极结构，在源/漏图案的相对侧上，栅极结构沿第二方向彼此间隔开并且包括围绕片状图案的栅电极，其中，源/漏图案包括：第一外延区域，具有锑和铋中的至少一种，第一外延区域具有与下部图案接触但不与片状图案接触的底部，并且底部的厚度在第二方向上远离栅极结构增大然后减小；以及第二外延区域，在第一外延区域上，第二外延区域包括磷。