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公开(公告)号：CN101996676B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201010253568.6
申请日：2010-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4093 , G11C7/10
CPC classification number: G06F13/4243 , G02B6/43
Abstract: 一种半导体存储器装置、控制器和半导体存储器系统，所述半导体存储器系统包括光互连的控制器和存储器装置。所述控制器包括：控制逻辑，被配置用于产生控制存储器装置的控制信号；发送器，被配置用于将控制信号转换为光信号，并输出光信号。所述存储器装置包括：接收单元，被配置用于将光信号转换为电信号，并基于与光信号或电信号的周期相应的供电电压来对电信号进行过滤。
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公开(公告)号：CN101174416A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710140113.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/125 , B82Y10/00 , G02B6/305 , G11B5/314 , G11B7/124 , G11B7/1387 , G11B11/10532 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
Abstract: 提供一种弯曲波导管，其包括：核，具有输入端和输出端，其中，输出端具有近场增强孔结构；金属包层，包围所述核。所述核被弯曲为曲形，所述曲形的曲率半径是透射光的强度相对于入射光的波长为最大时的谐振半径。因此，可将入射光的方向改变预定角度，同时保持传统近场增强孔的场增强特性，而不需要另外的光学元件。
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公开(公告)号：CN101136207A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710005836.0
申请日：2007-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/314 , G11B2005/0021 , Y10T29/49812 , Y10T428/12361
Abstract: 本发明涉及具有孔洞的金属层及其形成方法、包括该具有孔洞的金属层的光传送模块、以及包括该模块的热辅助磁记录头。该金属层的孔洞具有不同大小的入口和出口，且还具有弯曲的侧表面。另外，该光传送模块在其输出端包括该金属层，且该热辅助磁记录头包括作为光学加热单元的该光传送模块。
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公开(公告)号：CN101794625B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201010110966.2
申请日：2010-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/56
CPC classification number: G11C29/56 , G11C29/56012 , G11C2029/5602 , Y10T29/49004
Abstract: 本发明公开了一种存储器系统、存储器测试系统及其测试方法。该存储器测试系统包括：存储器器件；测试器，该测试器产生时钟信号和用于测试存储器器件的测试信号；以及光分路模块。光分路模块包括电-光信号转换单元，该电-光信号转换单元将时钟信号和测试信号中的每个转换成光信号，以将时钟信号和测试信号输出为光时钟信号和光测试信号。光分路单元还包括光信号分路单元和光-电信号转换单元，该光信号分路单元将光时钟信号和光测试信号中的每个分路成n个信号(n为至少2)，该光-电信号转换单元接收分路的光时钟信号和分路的光测试信号，以将分路的光时钟信号和分路的光测试信号转换成存储器器件中使用的电信号。
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公开(公告)号：CN101136207B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710005836.0
申请日：2007-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/314 , G11B2005/0021 , Y10T29/49812 , Y10T428/12361
Abstract: 本发明涉及具有孔洞的金属层及其形成方法、包括该具有孔洞的金属层的光传送模块、以及包括该模块的热辅助磁记录头。该金属层的孔洞具有不同大小的入口和出口，且还具有弯曲的侧表面。另外，该光传送模块在其输出端包括该金属层，且该热辅助磁记录头包括作为光学加热单元的该光传送模块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1945712B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200610121327.X
申请日：2006-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B11/105 , G11B5/02
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B7/1387 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供了一种光传送模块和使用该模块的热辅助磁记录(HAMR)头，所述模块的结构使得部件能够精确对准并且被集成为单个单元。所述光传送模块包括：具有第一凹槽的底座；安装在所述底座上的光源；安装在所述底座上的光学器件，其引导从所述光源发出的光；结合到所述底座上以保护所述光源和光学器件的盖元件，其具有朝向所述第一凹槽的第二凹槽；和结合在所述第一和第二凹槽中以通过调节通过所述光学器件传导的光的分布而形成增强近场的纳米孔径。
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公开(公告)号：CN102169270A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010530097.9
申请日：2010-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F2/00
CPC classification number: H04B10/801 , H04J14/08
Abstract: 一种光串行化器/解串行化器(SERDES)包括串行电路，其包括多个未调制光信号的源，调制单元，用于使用用于调制多个未调制光信号的多个电信号来产生多个调制光信号；和耦合单元，用于延迟多个调制光信号以产生多个延迟的调制光信号并且组合延迟的调制光信号以产生串行化的调制光信号。SERDES的解串行化电路包括：分光器，用于将串行化调制光信号分解为多个调制分解光信号；解调单元，用于解调该调制分解光信号并且产生相应的多个解调分解光信号；和延迟单元，用于按相应的延迟量来延迟多个调制分解光信号中的每个从而串行化调制光信号转换为相应的多个并行的解调分解光信号。
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公开(公告)号：CN101506888B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200780030376.5
申请日：2007-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B21/02
CPC classification number: G11B5/4833 , G11B2005/0021
Abstract: 公开了一种用于硬盘的头万向节组件，用于热辅助磁盘记录介质，其中激光二极管被使用从而以高密度记录信息，且公开了组装这样的头万向节组件的方法。用于硬盘的该头万向节组件包括：多个悬臂，其每个设置有磁头，该磁头相邻于对应的盘的表面来定位从而记录/复制信息；头万向节体，具有居中形成的枢转孔，该枢转孔允许该头万向节体以相对于盘可旋转的方式装配，所述悬臂从该头万向节体的一端延伸；线圈转子，设置在该头万向节体的另一端从而绕该枢转孔旋转该头万向节体；以及激光组件，具有一个或多个激光二极管和一个或多个波导，从任一所述激光二极管发射的光被所述波导引导到对应的磁头。根据本发明，因为头万向节组件具有激光二极管用于增大磁盘的数据记录密度，激光二极管不固定到悬臂而是固定到用作头万向节组件的支承件的头万向节体，所以头万向节组件产生的热可以有效地降低。此外，因为悬臂的外围光学部件的数量得到减少，所以磁头的飞行能平滑地进行，从而高密度数据的记录/复制能有效进行。
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公开(公告)号：CN101996676A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010253568.6
申请日：2010-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4093 , G11C7/10
CPC classification number: G06F13/4243 , G02B6/43
Abstract: 一种半导体存储器装置、控制器和半导体存储器系统，所述半导体存储器系统包括光互连的控制器和存储器装置。所述控制器包括：控制逻辑，被配置用于产生控制存储器装置的控制信号；发送器，被配置用于将控制信号转换为光信号，并输出光信号。所述存储器装置包括：接收单元，被配置用于将光信号转换为电信号，并基于与光信号或电信号的周期相应的供电电压来对电信号进行过滤。
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公开(公告)号：CN100590722C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610121478.5
申请日：2006-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B11/105 , G11B5/02 , G11B5/127
CPC classification number: G11B5/127 , G11B5/02 , G11B5/314 , G11B2005/001 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录头，其安装在具有ABS(气垫面)的滑块的末端用于在记录介质上记录数据。该热辅助磁记录头包括：形成用于记录数据的磁场的磁路形成单元；用于发射光加热记录介质的局部区域的光源；波导，位于磁路形成单元的侧部从而传输光源发射的光；光路变换单元，改变波导传输的光的方向到记录介质的该局部区域；及纳米开口，用于通过转换经光路变换单元传输的光的能量分布来产生增强的近场效应。
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