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公开(公告)号：CN109871182A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201810827534.X
申请日：2018-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金镇佑 , 张宇兑 , 崔完守
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种减小写入延迟的操作存储装置的方法。所述存储装置判断是否支持写入数据支持(WDS)，在支持所述写入数据支持时提取选择性地包括即时写入标志的写入命令，响应于所提取的写入命令来更新关于控制器存储器缓冲器(CMB)的地址映射表而不进行主机直接存储器存取(HDMA)操作，并产生与所述写入命令对应的写入命令完成消息。也提供一种存储装置及发出命令的方法。
