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发明授权
阴极活性物质、导电性组合物、阴极材料、阴极结构体及二次电池以及它们的制造方法有权转让

公开(公告)号：CN104781958B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201380058301.3

申请日：2013-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 川上总一郎 , 李柱明 , 郑现珠 , 张东圭

IPC: H01M4/38 , H01M4/583 , H01M4/62 , H01M4/04

Abstract: 本发明涉及一种二次电池用阴极活性物质、二次电池用导电性组合物、包括该阴极活性物质和该导电性组合物的阴极材料、包括该阴极材料的阴极结构体及二次电池以及它们的制造方法。本发明的特征在于，包括：硅粒子；和形成于上述硅粒子的表面的非晶质表面层。根据本发明，阴极结构由硅粒子与碳或锂离子固体电解质的复合体形成，并且硅粒子的氧含量较低，从而抑制硅粒子的聚集，因而在将上述阴极结构用于阴极的情况下，锂二次电池等蓄电设备能够具有高能量密度、高输出密度和更长的充放电周期寿命的性能。

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