公开(公告)号：CN119311069A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410929457.4

申请日：2024-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔海祯 ,  金柱成 ,  梁埈赫 ,  庾成敏

IPC: G05F1/567 ,  H03K17/60

Abstract: 半导体器件，包括产生基准电压的带隙基准发生器；开关控制电压发生器，其基于所述基准电压产生第一基准电流，并且通过将第一基准电流分发给第一路径和第二路径来产生自适应开关电平电压，第一路径包括第一电阻器，并且第二路径包括串联连接的第二电阻器和第一双极结型晶体管；以及开关控制器，其基于自适应开关电平电压产生用于控制包括在带隙基准发生器中的开关的开关控制信号。自适应开关电平电压具有比第一双极结型晶体管的基极‑发射极电压的相对于温度的斜率大的相对于温度的斜率。

公开(公告)号：CN118157636A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311573143.7

申请日：2023-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔海祯 ,  权宁彬 ,  许栋勋

IPC: H03K5/19

Abstract: 一种时钟监测电路包括：时钟使能信号生成器，被配置为基于时钟使能控制信号和参考时钟信号来生成超高频时钟使能信号；以及超高频检测器，被配置为基于选择时钟信号、超高频时钟使能信号和参考时钟信号来生成指示选择时钟信号是否是超高频信号的超高频确定信号。