公开(公告)号：CN108288482B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201810019422.1

申请日：2018-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔洹准 ,  梁熙甲

IPC: G11C11/406

Abstract: 一种存储设备包括：存储单元阵列，包括多个存储单元行；温度传感器，检测存储单元阵列的温度并生成内部温度数据；第一寄存器，存储从存储设备外部接收的外部温度数据；以及刷新控制单元，通过比较内部温度数据和外部温度数据来确定以与外部温度数据对应的刷新频率接收的刷新命令的跳过率，并且响应于基于跳过率跳过和发送的刷新命令对多个存储单元行执行刷新操作。

公开(公告)号：CN108288482A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201810019422.1

申请日：2018-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔洹准 ,  梁熙甲

IPC: G11C11/406

Abstract: 一种存储设备包括：存储单元阵列，包括多个存储单元行；温度传感器，检测存储单元阵列的温度并生成内部温度数据；第一寄存器，存储从存储设备外部接收的外部温度数据；以及刷新控制单元，通过比较内部温度数据和外部温度数据来确定以与外部温度数据对应的刷新频率接收的刷新命令的跳过率，并且响应于基于跳过率跳过和发送的刷新命令对多个存储单元行执行刷新操作。