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公开(公告)号:CN1928660A
公开(公告)日:2007-03-14
申请号:CN200610126749.6
申请日:2006-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1337 , G02F1/133
Abstract: 一种屏板包括第一基板、面对所述第一基板的第二基板以及分别设置在所述第一和第二基板的外表面上的第一和第二偏振器。所述第一和第二偏振器包括作为支撑物的双轴n-TAC。
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公开(公告)号:CN101025530B
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200610170131.X
申请日:2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1362 , G02F1/133 , G02F1/1343 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/13439
Abstract: 本发明公开了一种面板及其制造方法,所述面板包括在第一基底上的栅极线、覆盖所述栅极线的栅极绝缘层、在所述栅极绝缘层上的半导体层、与所述栅极线交叉并且包括源极的在所述半导体层上面对所述源极的漏极数据线、与所述数据线分离的连接辅助、覆盖所述半导体层并且包括暴露所述接触辅助的接触孔的钝化层和包括多个子像素电极并且形成于所述钝化层上的像素电极。所述子像素电极通过所述连接孔连接所述连接辅助,通过所述连接辅助相互电连接并且至少一个所述子像素电极电连接漏极。
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公开(公告)号:CN101025530A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN200610170131.X
申请日:2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1362 , G02F1/133 , G02F1/1343 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/13439
Abstract: 本发明公开了一种面板及其制造方法,所述面板包括在第一基底上的栅极线、覆盖所述栅极线的栅极绝缘层、在所述栅极绝缘层上的半导体层、与所述栅极线交叉并且包括源极的在所述半导体层上面对所述源极的漏极数据线、与所述数据线分离的连接辅助、覆盖所述半导体层并且包括暴露所述接触辅助的接触孔的钝化层和包括多个子像素电极并且形成于所述钝化层上的像素电极。所述子像素电极通过所述连接孔连接所述连接辅助,通过所述连接辅助相互电连接并且至少一个所述子像素电极电连接漏极。
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