公开(公告)号：CN107845638B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201710770958.2

申请日：2017-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹状根 ,  金善煐 ,  赵厚成

IPC: H01L27/11526 ,  H01L27/11573

Abstract: 存储器件包括：一对公共源极线，彼此间隔开地设置在衬底上，并沿第一方向延伸；多个接地选择线，设置在所述一对公共源极线之间，沿所述第一方向延伸并且设置在相同的层面上；多个字线，设置在所述一对公共源极线之间所述多个接地选择线上，沿所述第一方向延伸并且设置在相同的层面上，所述多个字线的至少一部分通过连接电极进行连接；和多个第一分离绝缘图案，设置在所述多个接地选择线的部分的各个接地选择线之间，并且沿第一方向延伸。所述多个字线的至少一部分通过连接电极进行连接。

公开(公告)号：CN107845638A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710770958.2

申请日：2017-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹状根 ,  金善煐 ,  赵厚成

IPC: H01L27/11526 ,  H01L27/11573

Abstract: 存储器件包括：一对公共源极线，彼此间隔开地设置在衬底上，并沿第一方向延伸；多个接地选择线，设置在所述一对公共源极线之间，沿所述第一方向延伸并且设置在相同的层面上；多个字线，设置在所述一对公共源极线之间所述多个接地选择线上，沿所述第一方向延伸并且设置在相同的层面上，所述多个字线的至少一部分通过连接电极进行连接；和多个第一分离绝缘图案，设置在所述多个接地选择线的部分的各个接地选择线之间，并且沿第一方向延伸。所述多个字线的至少一部分通过连接电极进行连接。