公开(公告)号：CN114068575A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110771959.5

申请日：2021-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳孝俊 ,  姜书求 ,  金希锡 ,  安锺善 ,  金森宏治 ,  韩智勳

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：下堆叠结构，在基底上具有下金属线；上堆叠结构，在下堆叠结构上具有上金属线；垂直结构，穿透上堆叠结构和下堆叠结构并且包括沟道层；第一切割线，穿过上堆叠结构和下堆叠结构；上支撑件，位于第一切割线上的凹进中；第二切割线，穿过上堆叠结构和下堆叠结构并且与第一切割线间隔开；子切割线，穿过上堆叠结构，同时在竖直方向上与垂直结构至少部分地叠置，子切割线位于第一切割线与第二切割线之间，上支撑件的顶表面与子切割线的顶表面共面；以及第一层间绝缘层，围绕上支撑件和子切割线中的每个的侧壁。