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公开(公告)号：CN116782637A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310212812.1
申请日：2023-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底上的第一柱状绝缘图案，沿竖直方向延伸，在第一方向上间隔开并排列成行；衬底上的第二柱状绝缘图案，沿竖直方向延伸，在第一方向上间隔开并排列成行，第二柱状绝缘图案和第一柱状绝缘图案在与第一方向垂直的第二方向上彼此重叠；堆叠在衬底上以在竖直方向上间隔开的硅图案，沿第二方向延伸并位于两个第一柱状绝缘图案之间和两个第二柱状绝缘图案之间；每个硅图案的上表面和下表面中的每个表面上的字线，沿第一方向延伸，接触第一柱状绝缘图案和/或第二柱状绝缘图案中的至少一个的侧壁；接触硅图案中的至少第一硅图案的第一侧壁的位线，沿竖直方向延伸；及接触第一硅图案的第二侧壁的电容器，沿水平方向设置。
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