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公开(公告)号:CN101106354B
公开(公告)日:2011-02-09
申请号:CN200610003310.4
申请日:2006-02-05
IPC: H03B1/04
CPC classification number: H03B5/1231 , H03B5/1203 , H03B5/124 , H03B5/1256 , H03B2200/007
Abstract: 本发明公开了一种超宽频带信号发生器。该超宽频带信号发生器使用具有超宽频带(UWB)的频率范围的谐波信号来产生需要的频率的信号。该超宽频带信号发生器包括:可调有源感应器,用于产生具有在非线性操作范围彼此基本相同的功率强度的谐波信号,该可调有源感应器能对其值进行调谐;振荡器,用于通过将从可调有源感应器产生的谐波信号频率转变成高频带来放大所述谐波信号并将其输出;和滤波器,用于选择性地输出从振荡器输出的谐波信号之一。
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公开(公告)号:CN101106354A
公开(公告)日:2008-01-16
申请号:CN200610003310.4
申请日:2006-02-05
IPC: H03B1/04
CPC classification number: H03B5/1231 , H03B5/1203 , H03B5/124 , H03B5/1256 , H03B2200/007
Abstract: 本发明公开了一种超宽频带信号发生器。该超宽频带信号发生器使用具有超宽频带(UWB)的频率范围的谐波信号来产生需要的频率的信号。该超宽频带信号发生器包括:可调有源感应器,用于产生具有在非线性操作范围彼此基本相同的功率强度的谐波信号,该可调有源感应器能对其值进行调谐;振荡器,用于通过将从可调有源感应器产生的谐波信号频率转变成高频带来放大所述谐波信号并将其输出;和滤波器,用于选择性地输出从振荡器输出的谐波信号之一。
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公开(公告)号:CN1801603A
公开(公告)日:2006-07-12
申请号:CN200510133994.5
申请日:2005-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种具有提高了的效率的小尺寸片上互补金属氧化物半导体(CMOS)功率放大器。该片上CMOS功率放大器能够通过提高K因子来提高效率并使其输出最大化,提高K因子在具有分布式有源变换器结构的功率放大器中可能会导致问题。该具有提高了的效率并被以小尺寸制造的片上CMOS功率放大器包括:主线圈,位于第一层;次线圈,位于第二层,第二层是第一层的上面的部分,次线圈对应于主线圈的位置放置;交叉部分,用于使次线圈彼此耦合。
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