公开(公告)号：CN105374933A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510500987.8

申请日：2015-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起园 ,  姜玟阿 ,  朴淳五 ,  朴容星 ,  吴世忠

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明构思提供磁存储器件及其形成方法。该方法包括：在基板上顺序地形成第一磁性导电层和盖层；图案化盖层和第一磁性导电层以形成第一磁性导电图案和盖图案；在基板上形成暴露盖图案的层间绝缘层；去除盖图案以暴露第一磁性导电图案；在第一磁性导电图案和层间绝缘层上形成隧穿势垒层和第二磁性导电层；以及图案化第二磁性导电层和隧穿势垒层以形成第二磁性导电图案和隧穿势垒图案。

公开(公告)号：CN105374933B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201510500987.8

申请日：2015-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起园 ,  姜玟阿 ,  朴淳五 ,  朴容星 ,  吴世忠

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明构思提供磁存储器件及其形成方法。该方法包括：在基板上顺序地形成第一磁性导电层和盖层；图案化盖层和第一磁性导电层以形成第一磁性导电图案和盖图案；在基板上形成暴露盖图案的层间绝缘层；去除盖图案以暴露第一磁性导电图案；在第一磁性导电图案和层间绝缘层上形成隧穿势垒层和第二磁性导电层；以及图案化第二磁性导电层和隧穿势垒层以形成第二磁性导电图案和隧穿势垒图案。