公开(公告)号：CN118053859A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311455664.2

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵㲼济 ,  金导玄 ,  吴昇龙

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L23/538 ,  H10B80/00

Abstract: 提供了一种半导体封装。该半导体封装包括：衬底；第一芯片结构，其位于衬底上且在第一方向上具有第一厚度；第二芯片结构，其沿与第一方向垂直的第二方向与第一芯片结构相邻地位于衬底上，并且沿第一方向具有第二厚度；第三芯片结构，其位于衬底上并且在与第二方向垂直的第三方向上与第一芯片结构和第二芯片结构相邻；和封装剂，其覆盖第一芯片结构、第二芯片结构和第三芯片结构，其中，第三芯片结构包括下芯片结构和上芯片结构，该下芯片结构在第三方向上交叠于第一芯片结构与第二芯片结构之间的空间的第一部分，该上芯片结构位于下芯片结构上，使得所述空间的第二部分在第三方向上暴露。

公开(公告)号：CN119786489A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411362885.X

申请日：2024-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴昇龙 ,  李在濬 ,  李俊镐

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括具有有源表面和无源表面的半导体基板、位于所述有源表面上的器件层、位于所述器件层上的第一芯片焊盘、以及穿透所述半导体基板的第一贯通电极和第二贯通电极，其中，至少一个所述第一芯片焊盘连接到所述第一贯通电极并且至少一个所述第一芯片焊盘连接到所述第二贯通电极；再分布结构，所述再分布结构包括位于所述半导体基板的所述无源表面上的再分布层和连接到所述再分布层的再分布通路；接触焊盘，所述接触焊盘位于所述再分布结构的上表面上；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片位于所述再分布结构上并且包括连接到所述接触焊盘的第二芯片焊盘。

公开(公告)号：CN118053839A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311247961.8

申请日：2023-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵汊济 ,  金导玄 ,  吴昇龙

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：衬底；第一半导体芯片，在衬底上并包括第一半导体芯片中的通孔和在第一半导体芯片的上部上的多个第一接合焊盘；第二半导体芯片，在第一半导体芯片上并包括在第二半导体芯片的下部上的多个第二接合焊盘；以及导电柱，在衬底的顶表面与第二半导体芯片的底表面之间并与第一半导体芯片横向间隔开。第一接合焊盘与第二接合焊盘接触。第二半导体芯片在第一方向上的宽度大于第一半导体芯片在第一方向上的宽度，所述第一方向与由衬底的底表面限定的平面平行。