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公开(公告)号：CN115775834A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211025346.8
申请日：2022-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：第一有源图案，在基底上在第一方向上延伸；第二有源图案，在基底上在第一方向上延伸，并且在第二方向上与第一有源图案间隔开；场绝缘层，在基底上位于第一有源图案与第二有源图案之间；第一栅电极，在第一有源图案上；第二栅电极，在第二有源图案上；以及栅极隔离结构，在场绝缘层上将第一栅电极与第二栅电极彼此分离，其中，栅极隔离结构在第二方向上的宽度从上隔离图案在向下的方向上变化。
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