-
公开(公告)号：CN107293520B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201710160149.X
申请日：2017-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L23/498
Abstract: 提供一种半导体封装件，该半导体封装件包括：下封装件，包括下封装件基底、设置在下封装件基底上的下半导体芯片和设置在下封装件基底上的下成型层；以及上封装件，设置在下封装件上。上封装件包括上封装件基底和设置在上封装件基底上的上半导体芯片。半导体封装件另外包括设置在下封装件基底和上封装件基底之间的连接端子。连接端子包括最外连接端子和内连接端子。内连接端子设置在下半导体芯片和最外连接端子之间。半导体封装件还包括设置在下封装件基底和上封装件基底之间的第一底填充层。最外连接端子中的至少一个设置在下成型层的外侧。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107342237A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710269901.4
申请日：2017-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/538
CPC classification number: H01L25/105 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2224/81143 , H01L2224/81815 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L23/538 , H01L23/5383 , H01L25/0657
Abstract: 公开了一种制造半导体封装件的方法和制造层叠封装(PoP)半导体装置的方法。制造半导体封装件的方法包括：提供下半导体封装件，下半导体封装件包括下封装基底以及在下封装基底的顶表面上的下虚设球和下焊料球；提供上半导体封装件，上半导体封装件包括上封装基底以及在上封装基底的底表面上的上虚设球和上焊料球；在第一温度下将上虚设球接合到下虚设球，以形成焊料接合件；在第二温度下将上焊料球接合到下焊料球，以形成连接端子。
-
公开(公告)号：CN106206519A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610340110.1
申请日：2016-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/58
Abstract: 提供了一种电气装置，所述电气装置可以包括布置在基底上的多个电气图案。每个电气图案可以包括：焊盘，用于与焊球连接；电气轨迹，从焊盘的一部分侧向地延伸，以允许电信号从焊盘传输或传输到焊盘；第一哑轨迹，从焊盘的另一部分侧向地延伸；第一连接线，将第一哑轨迹连接到电气轨迹。第一哑轨迹可以设置在从将焊盘连接到电气轨迹的直线偏离的位置处。
-
公开(公告)号：CN106206519B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201610340110.1
申请日：2016-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/58
Abstract: 提供了一种电气装置，所述电气装置可以包括布置在基底上的多个电气图案。每个电气图案可以包括：焊盘，用于与焊球连接；电气轨迹，从焊盘的一部分侧向地延伸，以允许电信号从焊盘传输或传输到焊盘；第一哑轨迹，从焊盘的另一部分侧向地延伸；第一连接线，将第一哑轨迹连接到电气轨迹。第一哑轨迹可以设置在从将焊盘连接到电气轨迹的直线偏离的位置处。
-
公开(公告)号：CN107293520A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710160149.X
申请日：2017-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L23/498
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L23/3178 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06586 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1076 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L23/562 , H01L23/49811
Abstract: 提供一种半导体封装件，该半导体封装件包括：下封装件，包括下封装件基底、设置在下封装件基底上的下半导体芯片和设置在下封装件基底上的下成型层；以及上封装件，设置在下封装件上。上封装件包括上封装件基底和设置在上封装件基底上的上半导体芯片。半导体封装件另外包括设置在下封装件基底和上封装件基底之间的连接端子。连接端子包括最外连接端子和内连接端子。内连接端子设置在下半导体芯片和最外连接端子之间。半导体封装件还包括设置在下封装件基底和上封装件基底之间的第一底填充层。最外连接端子中的至少一个设置在下成型层的外侧。
-
公开(公告)号：CN107342237B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201710269901.4
申请日：2017-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/538
Abstract: 公开了一种制造半导体封装件的方法和制造层叠封装(PoP)半导体装置的方法。制造半导体封装件的方法包括：提供下半导体封装件，下半导体封装件包括下封装基底以及在下封装基底的顶表面上的下虚设球和下焊料球；提供上半导体封装件，上半导体封装件包括上封装基底以及在上封装基底的底表面上的上虚设球和上焊料球；在第一温度下将上虚设球接合到下虚设球，以形成焊料接合件；在第二温度下将上焊料球接合到下焊料球，以形成连接端子。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.024 seconds)
