Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"卞昶勋" Page 1

1.

发明公开
半导体存储器件、制造该半导体存储器件的方法和包括该半导体存储器件的电子系统审中-公开

公开(公告)号：CN117881192A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311295715.X

申请日：2023-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔喆敃 , 卞昶勋 , 沈善一

IPC: H10B43/40 , H10B43/20 , H10B41/40 , H10B41/20 , H10B43/30 , H10B41/30

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：单元基板；模制结构，包括堆叠在单元基板上的多个栅电极；沟道结构，贯穿模制结构；串选择线，在模制结构上；串选择沟道结构，贯穿串选择线并且接触沟道结构；防电弧接触部，贯穿模制结构；绝缘图案，在防电弧接触部和多个栅电极之间；以及防电弧绝缘图案，贯穿串选择线以与防电弧接触部接触。

Patent Agency Ranking