公开(公告)号：CN101393770A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810175644.9

申请日：2008-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋基焕 ,  卓南均

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/4063 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明公开了存储器单元结构、装置、控制器及其制造和操作方法。示例性实施例说明了使用双极结晶体管(BJT)操作的存储器单元结构、存储器阵列、存储器装置、存储器控制器和存储器系统。

公开(公告)号：CN101393770B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN200810175644.9

申请日：2008-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋基焕 ,  卓南均

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/4063 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明公开了存储器单元结构、装置、控制器及其制造和操作方法。示例性实施例说明了使用双极结晶体管(BJT)操作的存储器单元结构、存储器阵列、存储器装置、存储器控制器和存储器系统。

公开(公告)号：CN101174632A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710167796.X

申请日：2007-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓南均 ,  宋基焕 ,  吴昌佑 ,  赵佑荣

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

Abstract: 一种单晶体管浮体动态随机存取存储器(DRAM)装置，包括设置在半导体基板上的浮体和设置在浮体上的栅极电极，浮体包括过量载流子存储区域。DRAM装置还包括分别设置在栅极电极两侧的源极和漏极区域，以及设置在浮体与源极和漏极区域之间的泄漏屏蔽图案。每个源极和漏极区域都接触浮体，浮体可以设置在源极和漏极区域之间。浮体还可以在泄漏屏蔽图案下横向延伸，该泄漏屏蔽图案可以设置在栅极电极的外侧。