公开(公告)号：CN107154433B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201710120178.3

申请日：2017-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 克里希纳.库马尔.布瓦尔卡 ,  金成帝 ,  金宗哲 ,  金炫佑

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括多个沟道、源极/漏极层和栅结构。沟道被顺序堆叠在衬底上并且在垂直于衬底的顶面的第一方向上彼此间隔开。源极/漏极层被连接到沟道并且位于沟道的在平行于衬底的顶面的第二方向上的相反侧。栅结构包围沟道。沟道具有不同的在第二方向上的长度以及不同的在第一方向上的厚度。

公开(公告)号：CN107154433A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710120178.3

申请日：2017-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 克里希纳.库马尔.布瓦尔卡 ,  金成帝 ,  金宗哲 ,  金炫佑

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66477

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括多个沟道、源极/漏极层和栅结构。沟道被顺序堆叠在衬底上并且在垂直于衬底的顶面的第一方向上彼此间隔开。源极/漏极层被连接到沟道并且位于沟道的在平行于衬底的顶面的第二方向上的相反侧。栅结构包围沟道。沟道具有不同的在第二方向上的长度以及不同的在第一方向上的厚度。