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公开(公告)号：CN115346992A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210517467.8
申请日：2022-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L27/11582 , H01L27/11568
Abstract: 一种半导体器件包括：第一结构，该第一结构包括衬底、电路器件、电连接至电路器件的下互连结构；以及第二结构，在第一结构上。第二结构包括：导电板层；栅电极，在导电板层上，并在第一方向上延伸；分离区，穿透栅电极，并在第一方向上延伸；沟道结构，穿透栅电极，并分别包括沟道层；贯通接触插塞，与栅电极间隔开，并在竖直方向上延伸，以电连接至第一结构的下互连结构；第一接触部和第二接触部，分别电连接至沟道层和贯通接触插塞；位线，将第一接触部和第二接触部中的至少各一个彼此电连接；以及虚设接触部，连接至位线，并与贯通接触插塞间隔开。
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