公开(公告)号：CN1042463C

公开(公告)日：1999-03-10

申请号：CN94114983.8

申请日：1994-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁哲珉 ,  李正熙 ,  安基植 ,  朴熙哲

IPC: G11C11/407 ,  H03K19/0175

CPC classification number: G11C7/1057 ,  G11C7/1051 ,  H03K19/0013 ,  H03K19/017527

Abstract: 一种适用于半导体存储器件的电平移动器和数据输出缓冲器，包括存储数据的存储单元、放大从存储单元读出的数据以产生ECL电平输出信号的读出放大器，将ECL电平输出信号转换成CMOS电平信号的电平移动器。电平移动器具有用于输入ECL电平数据以便将其转换为CMOS电平而输出其结果的电平移动装置和延迟电平移动装置输出的信号以便控制其电流消耗的延迟装置，在使ECL电平信号转换成CMOS电平的同时降低电流消耗。

公开(公告)号：CN1085004A

公开(公告)日：1994-04-06

申请号：CN93109684.7

申请日：1993-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁哲珉 ,  徐英豪 ,  崔镇荣 ,  林亨圭

IPC: G11C5/00 ,  H01L27/11

CPC classification number: G11C11/419

Abstract: 半导体存储器件中静态随机存取存储器的一种电流检测电路，该电路有一个由NMOS晶体管构成电流/电压转换器，NMOS晶体管的沟道分别连接在数据线对的各数据线与电压检测放大器输入节点之间，晶体管的各栅极交叉耦合，因而可以将电流快速转换成电压，从而能快速检测存储在存储单元中的数据。