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Invention Grant
US08664651B2 Switching device and method of manufacturing the same 有权
开关装置及其制造方法

  • Patent Title: Switching device and method of manufacturing the same
  • Patent Title (中): 开关装置及其制造方法
  • Application No.: US12808392
    Application Date: 2008-11-25
  • Publication No.: US08664651B2
    Publication Date: 2014-03-04
  • Inventor: Naoki Banno
  • Applicant: Naoki Banno
  • Applicant Address: JP Tokyo
  • Assignee: NEC Corporation
  • Current Assignee: NEC Corporation
  • Current Assignee Address: JP Tokyo
  • Priority: JP2007-326960 20071219
  • International Application: PCT/JP2008/071311 WO 20081125
  • International Announcement: WO2009/078251 WO 20090625
  • Main IPC: H01L29/10
  • IPC: H01L29/10
Switching device and method of manufacturing the same
Abstract:
A switching device includes a first electrode (101), a second electrode (102), and a complex oxide ion conducting layer (103) interposed between the first electrode (101) and the second electrode (102). The complex oxide ion conducting layer (103) contains at least two oxides including a metal oxide. The first electrode (101) can supply electrons to the complex oxide ion conducting layer (103). The second electrode (102) contains a metal and can supply ions of the metal to the complex oxide ion conducting layer (103).
Abstract(Chinese):

开关装置包括插在第一电极（101）和第二电极（102）之间的第一电极（101），第二电极（102）和复合氧化物离子传导层（103）。 复合氧化物离子传导层（103）含有至少两种包括金属氧化物的氧化物。 第一电极（101）可以向复合氧化物离子传导层（103）提供电子。 第二电极（102）含有金属，可以将金属的离子供给到复合氧化物离子传导层（103）。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02 .按其半导体本体的特征区分的
H01L29/06 ..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的
H01L29/10 ...具有连接到1个不通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的
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