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Invention Grant
US08664110B2 Method for forming semiconductor device 失效
半导体器件形成方法

  • Patent Title: Method for forming semiconductor device
  • Patent Title (中): 半导体器件形成方法
  • Application No.: US13359061
    Application Date: 2012-01-26
  • Publication No.: US08664110B2
    Publication Date: 2014-03-04
  • Inventor: Shinobu Terada
  • Applicant: Shinobu Terada
  • Agency: Young & Thompson
  • Priority: JP2011-015139 20110127
  • Main IPC: H01L21/4763
  • IPC: H01L21/4763
Method for forming semiconductor device
Abstract:
A method of forming a semiconductor device includes, but is not limited to, the following processes. A first interlayer insulating film is formed. A hole is formed in the first interlayer insulating film. A second interlayer insulating film is formed, which buries the hole and covers the first interlayer insulating film. An interconnect groove is formed by selectively etching the second interlayer insulating film to leave the second interlayer insulating film in the hole. The second interlayer insulating film in the hole is removed.
Abstract(Chinese):

形成半导体器件的方法包括但不限于以下处理。 形成第一层间绝缘膜。 在第一层间绝缘膜中形成有孔。 形成第二层间绝缘膜，其掩埋该孔并覆盖第一层间绝缘膜。 通过选择性地蚀刻第二层间绝缘膜以将第二层间绝缘膜留在孔中形成互连槽。 去除孔中的第二层间绝缘膜。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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