Dielectric layer for flash memory device and method for manufacturing thereof

Invention Grant

US08405166B2 Dielectric layer for flash memory device and method for manufacturing thereof 有权

Title translation: 闪存器件用介质层及其制造方法

Patent Title: Dielectric layer for flash memory device and method for manufacturing thereof
Patent Title (中): 闪存器件用介质层及其制造方法
Application No.: US12962288

Application Date: 2010-12-07
Publication No.: US08405166B2

Publication Date: 2013-03-26
Inventor: Christoph Adelmann , Johan Swerts , Sven Van Elshocht , Jorge Kittl
Applicant: Christoph Adelmann , Johan Swerts , Sven Van Elshocht , Jorge Kittl
Applicant Address: BE Leuven
Assignee: IMEC
Current Assignee: IMEC
Current Assignee Address: BE Leuven
Agency: Knobbe Martens Olson & Bear, LLP
Main IPC: H01L29/51
IPC: H01L29/51 ; H01L21/473

Abstract:

The present disclosure is related to a dielectric layer comprising a rare-earth aluminate (RExAl2-xO3 with 0

Abstract(Chinese):

本公开涉及包含稀土铝酸盐（RE x Al 2-x O 3，0

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/40	.按其电极特征区分的
H01L29/43	..以形成材料为特征的
H01L29/49	...金属绝缘体半导体电极
H01L29/51	....与其相关的绝缘材料