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Invention Grant
US08389972B2 Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same 有权
非易失性存储器件及其制造方法

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same
Abstract:
To realize miniaturization and increased capacity of memories by lowering break voltage for causing resistance change and suppressing variation in break voltage.The nonvolatile memory device (10) in the present invention includes: a lower electrode (105) formed above a substrate (100); a first variable resistance layer (106a) formed above the lower electrode (105) and comprising a transitional metal oxide; a second variable resistance layer (106b) formed above the first variable resistance layer (106a) and comprising a transitional metal oxide having higher oxygen content than the transitional metal oxide of the first variable resistance layer (106a); and an upper electrode (107) formed above the second variable resistance layer (106b), wherein a step (106ax) is formed in an interface between the first variable is resistance layer (106a) and the second variable resistance layer (106b). The second variable resistance layer (106b) is formed covering the step (106ax) and has a bend (106bx) above the step (106ax).
Abstract(Chinese):

通过降低断开电压以实现电阻变化并抑制断开电压的变化来实现存储器的小型化和增加的容量。 本发明的非易失性存储器件（10）包括：形成在衬底（100）上方的下电极（105）; 形成在所述下电极（105）上方并且包含过渡金属氧化物的第一可变电阻层（106a） 形成在第一可变电阻层（106a）上方的第二可变电阻层（106b），并且包括具有比第一可变电阻层（106a）的过渡金属氧化物高的氧含量的过渡金属氧化物; 以及形成在所述第二可变电阻层（106b）上方的上电极（107），其中在所述第一可变电阻层（106a）和所述第二可变电阻层（106b）之间的界面中形成台阶（106ax）。 第二可变电阻层（106b）被形成为覆盖台阶（106ax）并且在台阶（106ax）上方具有弯曲部（106bx）。

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