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Invention Grant
US08168968B2 Thin film transistor and organic light emitting display device using the same 有权
薄膜晶体管和使用其的有机发光显示装置

Thin film transistor and organic light emitting display device using the same
Abstract:
There is provided a thin film transistor exhibiting stable reliability and electrical characteristics by forming an active layer by adding material having a large difference of electronegativity from oxygen like Hf and an atomic radius similar to that of Zn or SN to an oxide semiconductor made of ZnSnO to adjust concentration of carrier and to enhance reliability of the oxide semiconductor, and an organic light emitting display device having the same.
Abstract(Chinese):

提供了一种薄膜晶体管，其表现出稳定的可靠性和电特性，通过添加具有如Hf之类的氧的电负性差大的材料和类似于Zn或SN的原子半径的材料形成有源层到由ZnSnO制成的氧化物半导体， 调整载体的浓度并提高氧化物半导体的可靠性，以及具有该氧化物半导体的有机发光显示装置。

Public/Granted literature
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Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
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