半导体晶片（10）被构造为形成具有厚度d << D的精细结构（如膜，桥或舌），其中D表示半导体晶片（10）的厚度。 然后施加所需材料的颗粒。 在半导体晶片（10）中产生时间或空间温度梯度，例如。 通过逐步加热。 在这样的加热过程中，由于微细结构具有比每个面积小的热容量并且不能快速地传递热量，所以细微结构比其余的晶片更加快速地变热，变得更热。 以这种方式，可以将精细结构加热到允许颗粒烧结的温度。 为了涂覆，使半导体晶片（10）进入反应器（11）。 提供金属的前体化合物并将其进料到反应器（11），在反应器（11）中发生反应，在该反应过程中金属被转化成最终的化合物，并以颗粒的形式沉积在半导体晶片（10）上。