Invention Publication
CN1994875A 形成氮掺杂单壁碳纳米管的方法
无效 - 驳回
- Patent Title: 形成氮掺杂单壁碳纳米管的方法
- Patent Title (English): Method of forming nitrogen-doped single-walled carbon nanotubes
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Application No.: CN200610080305.3Application Date: 2006-05-09
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Publication No.: CN1994875APublication Date: 2007-07-11
- Inventor: 裵恩珠 , 闵约赛 , 朴玩濬
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 宋莉; 贾静环
- Priority: 1394/06 2006.01.05 KR
- Main IPC: C01B31/02
- IPC: C01B31/02

Abstract:
提供了形成氮掺杂单壁纳米管的方法。所述方法包括:在基底上形成催化剂金属层;将具有所述催化剂金属层的所述基底加入到反应室中;在所述反应室中形成H2O等离子体气氛;和通过将碳前体和氮前体供给到所述反应室中在所述催化剂金属层上形成氮掺杂碳纳米管,其中在所述反应室中于所述H2O等离子体气氛下所述前体间发生了化学反应。
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