Invention Publication
CN1982210A 生长碳纳米管的方法和制造场致发射器件的方法
无效 - 撤回
- Patent Title: 生长碳纳米管的方法和制造场致发射器件的方法
- Patent Title (English): Method for growing carbon nanotubes and manufacturing method of field emission device therewith
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Application No.: CN200610101172.3Application Date: 2006-07-05
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Publication No.: CN1982210APublication Date: 2007-06-20
- Inventor: 金夏辰 , 韩仁泽
- Applicant: 三星SDI株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星SDI株式会社
- Current Assignee: 三星SDI株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 陶凤波; 侯宇
- Priority: 122426/05 2005.12.13 KR
- Main IPC: C01B31/02
- IPC: C01B31/02 ; B82B3/00 ; H01J9/02 ; H01J1/304
Abstract:
提供了生长碳纳米管和采用所述碳纳米管制造场致发射器件的方法。所述的生长碳纳米管的方法包括：制备衬底；在所述衬底上形成催化剂金属层，以促进碳纳米管的生长；形成局部覆盖所述催化剂金属层的无定形碳层；以及从未被无定形碳层覆盖的催化剂金属层的表面生长碳纳米管。在所述的生长碳纳米管的方法中，以适于场致发射器件的发射器的密度，在低温下，以低成本生长碳纳米管。
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