• Patent Title: 高产率气相沉积制备大型单壁化碳纳米管的方法
  • Patent Title (English): High yield vapor phase deposition method for large scale single walled carbon nanotube prepration
  • Application No.: CN01803478.0
    Application Date: 2001-01-05
  • Publication No.: CN1418260A
    Publication Date: 2003-05-14
  • Inventor: 刘杰
  • Applicant: 杜克大学
  • Applicant Address: 美国北卡罗来纳
  • Assignee: 杜克大学
  • Current Assignee: 杜克大学
  • Current Assignee Address: 美国北卡罗来纳
  • Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
  • Agent 蔡胜有
  • Priority: 60/174,874 2000.01.07 US
  • International Application: PCT/US2001/00335 2001.01.05
  • International Announcement: WO2001/49599 EN 2001.07.12
  • Date entered country: 2002-07-05
  • Main IPC: C23C16/00
  • IPC: C23C16/00 C23C16/22 C23C16/26
高产率气相沉积制备大型单壁化碳纳米管的方法
Abstract:
本发明公开了一种在气凝胶载有的金属催化剂上制备单壁化碳纳米管的改进的气相沉积方法。以催化剂的重量为基础,SWCNT的总产率经常为至少约100%,反应时间至少为约30分钟。
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