Invention Grant
CN1328788C 半导体装置、半导体模块及其制法、电子设备、电子仪器
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体装置、半导体模块及其制法、电子设备、电子仪器
- Patent Title (English): Semiconductor device, semiconductor module, electronic device and electronic equipment, and method for manufacturing semiconductor module
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Application No.: CN200410045259.4Application Date: 2004-06-04
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Publication No.: CN1328788CPublication Date: 2007-07-25
- Inventor: 汤泽秀树
- Applicant: 精工爱普生株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 精工爱普生株式会社
- Current Assignee: 精工爱普生株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 李香兰
- Priority: 2003－163830 2003.06.09 JP
- Main IPC: H01L23/48
- IPC: H01L23/48 ; H01L21/60 ; H01L21/321
Abstract:
本发明提供一种使延伸为放射状的引导电极与突出电极之间的间隙增加的半导体装置、半导体模块、电子设备、电子仪器及半导体模块的制造方法。使外侧的突出电极(42b′)偏向锯齿状排列的内侧的突出电极(42a)的排列，并进行排列，在将外侧的突出电极(42b′)的位置挪向突出电极(42b″)的位置的同时，使突出电极(42a、42b)的接合面为正方形。
Public/Granted literature
- CN1574322A 半导体装置、半导体模块及其制法、电子设备、电子仪器 Public/Granted day:2005-02-02
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IPC分类:
