本申请涉及一种IGCT器件的封装方法及IGCT器件的封装结构，其中，IGCT器件的封装方法包括：提供一电极和一晶圆；于所述电极的表面形成图形化的互连材料层，所述互连材料层包括多个间隔设置的互连材料单元；将所述晶圆设置于所述互连材料层远离所述电极的一侧；采用键合工艺或焊接工艺，使所述互连材料单元发生形变，以连接所述晶圆和所述电极；其中，至少两个相邻设置且变形后的所述互连材料单元部分相连。本申请在晶圆与电极互连过程中提供了释放热应力的空间，减少或避免了互连过程中因热应力而发生翘曲变形的风险，从而在不影响热阻优化效果的同时提高了IGCT器件的封装结构的可靠性。