Invention Publication
- Patent Title: 铜接合线、铜接合线的制造方法以及半导体装置
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Application No.: CN202380065618.3Application Date: 2023-09-13
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Publication No.: CN119866539APublication Date: 2025-04-22
- Inventor: 三苫修一 , 中岛伸一郎 , 梁井博文
- Applicant: 田中电子工业株式会社
- Applicant Address: 日本国佐贺县神埼郡吉野里町吉田2303-15
- Assignee: 田中电子工业株式会社
- Current Assignee: 田中电子工业株式会社
- Current Assignee Address: 日本国佐贺县神埼郡吉野里町吉田2303-15
- Agency: 北京高沃律师事务所
- Agent 万慧华
- Priority: 2022-148253 20220916 JP
- International Application: PCT/JP2023/033354 2023.09.13
- International Announcement: WO2024/058211 JA 2024.03.21
- Date entered country: 2025-03-12
- Main IPC: H01L21/60
- IPC: H01L21/60 ; C22C9/00 ; C22F1/00 ; C22F1/08

Abstract:
本发明提供一种铜接合线,其能够提高切断性以及接合强度和追随性,抑制金属线的剥离和偏离工具。一种铜接合线,其是由铜的纯度为99.99质量%以上的铜合金构成的铜金属线,所述铜金属线的与线轴垂直的方向的截面中的晶界密度为0.01μm‑1以上且小于0.6μm‑1,在所述截面中的线轴方向的晶体取向中,相对于线轴方向角度差为15°以下的晶体取向 的取向比率除以相对于线轴方向角度差为15°以下的晶体取向 的取向比率而得到的值为10以上且650以下,动态硬度为45以上且90以下,并且所述截面中的弹性模量为20GPa以上且70GPa以下。
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