Invention Publication
- Patent Title: 键合剂及其制备方法、电子基材的制备方法
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Application No.: CN202510060158.6Application Date: 2025-01-15
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Publication No.: CN119708500APublication Date: 2025-03-28
- Inventor: 刘冬 , 王臣 , 罗旭芳 , 李宜轩 , 袁美蓉 , 刘双双
- Applicant: 深圳清华大学研究院 , 深圳清研电子科技有限公司
- Applicant Address: 广东省深圳市南山区高新技术产业园南区深圳清华大学研究院大楼A302室;
- Assignee: 深圳清华大学研究院,深圳清研电子科技有限公司
- Current Assignee: 深圳清华大学研究院,深圳清研电子科技有限公司
- Current Assignee Address: 广东省深圳市南山区高新技术产业园南区深圳清华大学研究院大楼A302室;
- Agency: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司
- Agent 陈实顺
- Main IPC: C08G77/42
- IPC: C08G77/42 ; C08G83/00 ; C09J183/10 ; B32B7/12 ; B32B15/04 ; B32B15/20
Abstract:
本申请公开了一种键合剂及其制备方法、电子基材的制备方法。所述键合剂的制备方法包括将沸石咪唑酯骨架材料与改性聚二甲基硅氧烷混合，加入催化剂，在惰性气氛下进行反应，得到表面接枝改性聚二甲基硅氧烷的沸石咪唑酯骨架材料。本申请提供的键合剂能够解决传统覆铜板铜箔和绝缘基板结合力不足的现状，有效提升铜箔的抗剥离强度，为高性能覆铜板在高频高速电子电路等领域的应用提供坚实保障。
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