Invention Publication
- Patent Title: 深最高占用分子轨道(HOMO)发射体装置结构
-
Application No.: CN202510132139.XApplication Date: 2019-10-23
-
Publication No.: CN119677314APublication Date: 2025-03-21
- Inventor: 瓦季姆·阿达莫维奇 , 埃里克·A·玛格里斯 , 皮埃尔-吕克·T·布德罗
- Applicant: 环球展览公司
- Applicant Address: 美国新泽西州
- Assignee: 环球展览公司
- Current Assignee: 环球展览公司
- Current Assignee Address: 美国新泽西州
- Agency: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- Agent 沈鹏
- Priority: 62/749,290 20181023 US 16/596,948 20191009 US
- Main IPC: H10K50/12
- IPC: H10K50/12 ; H10K50/10 ; H10K50/18 ; H10K101/30 ; H10K101/40

Abstract:
本申请涉及深最高占用分子轨道(HOMO)发射体装置结构。所公开主题的实施例提供一种有机发光二极管OLED,其具有阳极、阴极、安置于所述阳极与所述阴极之间的发射层以及安置于所述发射层与所述阴极之间的空穴阻挡层。所述发射层可以包括磷光掺杂剂,其中所述磷光掺杂剂在室温下在0.5%掺杂聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA薄膜中具有伴随大于或等于600nm的峰值最大波长的发射。所述磷光掺杂剂的最高占用分子轨道HOMO能量可以小于或等于‑5.1eV,并且所述空穴阻挡层的HOMO能量比所述磷光掺杂剂的HOMO能量低至少0.1eV。
Information query