Invention Publication
- Patent Title: 具有磁场调整的轴向离子源
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Application No.: CN202411012242.2Application Date: 2024-07-26
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Publication No.: CN119381242APublication Date: 2025-01-28
- Inventor: D·D·霍尔顿 , S·T·夸姆比 , G·B·古肯伯格
- Applicant: 赛默菲尼根有限责任公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 赛默菲尼根有限责任公司
- Current Assignee: 赛默菲尼根有限责任公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 钟茂建; 吕传奇
- Priority: 18/360638 20230727 US
- Main IPC: H01J49/20
- IPC: H01J49/20 ; H01J49/10 ; H01J49/26
Abstract:
本文所教导的系统和方法在离子源的电离区中产生非均匀磁场以改进电气电离工艺和化学电离工艺(特别是负化学离子化(CI)工艺)中的鲁棒性。电离体积内的该非均匀磁场在空间上分离电子和阴离子，使得阴离子主要穿过电离室中的离子出口孔，而电子被引导以撞击该电离室的远离该离子出口孔的侧壁或端壁。结果，更多数量的离子从该离子源朝向质量分析仪离开。本文所教导的系统和方法还通过避免可能由电子撞击孔周围的表面引起的损坏来增加仪器的寿命。
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