Invention Publication
- Patent Title: 一种镨铜铝共掺杂SmCo5基永磁薄带及其制备方法
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Application No.: CN202411670501.0Application Date: 2024-11-21
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Publication No.: CN119314768APublication Date: 2025-01-14
- Inventor: 韩续豪 , 王豪杰 , 方成涵 , 姚星成 , 靳千千
- Applicant: 广西科技大学
- Applicant Address: 广西壮族自治区柳州市城中区文昌路2号
- Assignee: 广西科技大学
- Current Assignee: 广西科技大学
- Current Assignee Address: 广西壮族自治区柳州市城中区文昌路2号
- Agency: 北京成实知识产权代理有限公司
- Agent 李启平
- Main IPC: H01F1/055
- IPC: H01F1/055 ; H01F7/02 ; H01F41/02

Abstract:
本发明为一种镨铜铝共掺杂SmCo5基永磁薄带及其制备方法,涉及稀土钴基永磁合金材料。该制备方法通过在SmCo5系合金中同时添加Pr、Cu、Al,并调控Pr‑Cu‑Al的添加比例,采用熔体快淬制备出元素组成成分通式为SmxPryCozCuuAlv的多元复相SmCo5基永磁薄带。本发明通过这种同时取代添加的添加方式,克服了现有类似SmCo5基永磁薄带在添加合金元素时忽略对稀土元素优化,以及多元共掺杂缺少规律性的缺陷,通过这种复合掺杂可以实现矫顽力和剩磁的同时提升,有利于高性能永磁体在更多相关电、磁元器件中的应用。
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