Invention Publication
- Patent Title: 一种富Fe高矫顽力钐钴磁体的扩散制备方法
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Application No.: CN202411546882.1Application Date: 2024-11-01
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Publication No.: CN119296941APublication Date: 2025-01-10
- Inventor: 雍辉 , 冯凯 , 王帅 , 胡季帆 , 赵科 , 凤玉龙 , 王杰 , 李佳楠 , 张治堃
- Applicant: 太原科技大学
- Applicant Address: 山西省太原市万柏林区瓦流路66号
- Assignee: 太原科技大学
- Current Assignee: 太原科技大学
- Current Assignee Address: 山西省太原市万柏林区瓦流路66号
- Agency: 太原市科瑞达专利代理有限公司
- Agent 赵禛
- Main IPC: H01F41/02
- IPC: H01F41/02 ; H01F1/055

Abstract:
一种富Fe高矫顽力钐钴磁体的扩散制备方法,属于磁性材料制备技术领域,解决富Fe钐钴磁体不易形成良好胞状组织结构以及工艺流程长的技术问题,包括以下步骤:S1、称取钐钴永磁体合金原料,制备合金铸锭;S2、采用机械破碎方法制备合金颗粒,将合金颗粒制备成合金粉末;S3、钐钴合金粉末经磁场取向成型、冷等静压压制成型,制备生坯;S4、生坯经烧结固溶处理制备烧结钐钴永磁体毛坯,再将毛坯加工成钐钴磁体薄片;S5、钐钴磁体薄片进行一次扩散PrCu处理;S6、磁体薄片进行二次扩散SnFe处理;S7、二次扩散薄片进行时效处理制得钐钴永磁体。本发明提供的制备方法易于操作控制和产业化,制得的富Fe烧结钐钴磁体性能优异。
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