本发明提供了一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，在漂移层内形成屏蔽层、第二P型阱区、第二N型源区、第一P型阱区及第一N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，之后对漂移层以及第一P型阱区进行蚀刻直至屏蔽层上侧面，形成凹槽，对凹槽进行干氧氧化，形成栅介质层，所述栅介质层内设有沟槽；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备，构建第二N型源区和第二P型阱区结构用来在漂移区提供大量电子，从而降低器件导通电阻。