Invention Grant
- Patent Title: 一种金属掺杂多孔碳,硅碳材料及其制备方法
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Application No.: CN202410454161.1Application Date: 2024-04-16
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Publication No.: CN118419892BPublication Date: 2025-04-08
- Inventor: 周嘉郁 , 田文龙 , 解晓宁 , 马玙晗 , 赵震环 , 李贤亚 , 杨小亮
- Applicant: 中建材(浙江)材料科技有限公司
- Applicant Address: 浙江省杭州市拱墅区华中路208号601室-4
- Assignee: 中建材(浙江)材料科技有限公司
- Current Assignee: 中建材(浙江)材料科技有限公司
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市拱墅区华中路208号601室-4
- Agency: 杭州裕阳联合专利代理有限公司
- Agent 金方玮
- Main IPC: C01B32/05
- IPC: C01B32/05 ; C01B33/02 ; C01B33/027 ; H01M10/0525 ; H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/587 ; B82Y40/00 ; B82Y30/00 ; H01M4/62

Abstract:
本发明公开了金属掺杂多孔碳、硅碳材料及其制备方法,将碳基前驱体、造孔剂与氨基锂添加到有机溶剂中分散,干燥,固化,得多孔碳前驱体;通入碱性气体,高温处理得锂掺杂多孔碳;转移到管式炉中,排出管内空气,进行纳米硅沉积,通过沉积法在表面沉积固态电解质薄膜,得硅碳复合材料。本发明通过在多孔碳中掺杂锂,提升电子导电率,提高首效;对氨基树脂改性,提升材料的稳定性和电子导电率,改善循环性能;掺杂造孔剂,提升材料孔的均一性和提升孔径的尺寸,降低硅的膨胀。通过沉积法,在最外层沉积固态电解质,避免内核纳米硅与空气接触发生副反应,具有厚度较薄,致密度高等特点,提升首次库伦效率及其高温存储性能。
Public/Granted literature
- CN118419892A 一种金属掺杂多孔碳,硅碳材料及其制备方法 Public/Granted day:2024-08-02
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