本申请提供了一种半导体量子比特的声学腔读取装置及其制备方法。声学腔读取装置包括：凸面压电结构和半导体纳米线量子比特结构固定连接；凸面压电结构包括：第一衬底；第一薄膜层，设置在第一衬底的第一表面；凸面压电薄膜层，呈凸球面形状设置在第一衬底的第二表面；半导体纳米线量子比特结构包括：第二衬底；半导体纳米电极层，设置在第二衬底的表面，半导体纳米电极层包括：半导体纳米线，设置在第二衬底的表面；至少两个电极层，至少两个电极层分别搭接设置在半导体纳米线的两端，至少两个电极层之间裸露有部分半导体纳米线；其中，凸面压电薄膜层设置在裸露的半导体纳米线上方，凸面压电结构和半导体纳米线量子比特结构之间为空腔结构。