本公开实施例提供一种半导体/超导体异质结纳米线交叉结构的制备方法，包括：提供一特定晶向的衬底，基于特定晶向对半导体纳米线生长方向的限定，在特定晶向的衬底上生长形成半导体纳米线交叉结构；在半导体纳米线交叉结构侧壁外延半导体壳层，得到核壳半导体纳米线交叉结构；在核壳半导体纳米线交叉结构上外延超导体，得到半导体/超导体异质结纳米线交叉结构。该方法工艺简单，半导体壳层的厚度可实现精确调控，解决了传统方法制备半导体/超导体异质结纳米线交叉结构时半导体纳米线直径难以大范围调节的难题。