Invention Publication
- Patent Title: 降低寄生电容并耦合到电感耦合器模式
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Application No.: CN202311543390.2Application Date: 2017-12-15
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Publication No.: CN117808110APublication Date: 2024-04-02
- Inventor: A·E·梅格兰特
- Applicant: 谷歌有限责任公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 谷歌有限责任公司
- Current Assignee: 谷歌有限责任公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 金玉洁
- Priority: 62/440,172 20161229 US
- Main IPC: G06N10/40
- IPC: G06N10/40 ; G06N10/20 ; H10N60/00 ; H10N60/01 ; H10N69/00
Abstract:
一种量子比特耦合器件，包括：包括沟槽的电介质衬底；电介质衬底的表面上的第一超导体层，其中第一超导体层的边缘沿着第一方向延伸，并且超导体层的至少一部分与电介质衬底的表面接触，并且其中超导体层由在相应的临界温度或低于相应的临界温度下表现出超导体特性的超导体材料形成；电介质衬底内的沟槽的长度与第一超导体层的边缘邻近并在第一方向上沿着第一超导体层的边缘延伸，并且其中沟槽的电容率小于电介质衬底的电容率。
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