Invention Grant
- Patent Title: 一种K-C3N4@Bi2WO6光催化材料、其快速合成方法及其应用
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Application No.: CN202210850991.7Application Date: 2022-07-19
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Publication No.: CN117085717BPublication Date: 2025-02-14
- Inventor: 董文钧 , 贺婷婷 , 栾庆洁 , 汤薇 , 周冬雪 , 薛祥东
- Applicant: 北京科技大学顺德创新学院
- Applicant Address: 广东省佛山市顺德区大良致慧路2号
- Assignee: 北京科技大学顺德创新学院
- Current Assignee: 北京科技大学顺德创新学院
- Current Assignee Address: 广东省佛山市顺德区大良致慧路2号
- Agency: 杭州君锐达知识产权代理有限公司
- Agent 黄欢娣
- Main IPC: B01J27/24
- IPC: B01J27/24 ; B01J37/08 ; C02F1/30 ; A61L2/08 ; C02F101/34 ; C02F101/38

Abstract:
本发明属于光催化复合材料领域,具体涉及一种K‑C3N4@Bi2WO6多级异质体材料、其快速合成方法及其在光催化杀菌消毒、降解有机污染物方面的应用。本发明提供的K‑C3N4@Bi2WO6多级异质体,以二维多孔片层结构K‑C3N4为载体负载零维Bi2WO6量子点。采用离子交换技术进行异质体可控构筑,在原位煅烧过程中实现K‑C3N4与Bi2WO6‑xBrx在水溶液中自发进行离子交换生成KBr,同时K‑C3N4上N缺陷周围的不饱和C原子与Bi2WO6表面悬键氧键合作用使两者界面接触紧密且增加接触面积,并为光生电子提供传输通道,极大的促进光生电子‑空穴对的分离能力。该方法具有简单、快速、有效构筑异质体等优点,所获得的K‑C3N4@Bi2WO6多级异质体材料具有优异的有机污染物快速低温降解及杀菌性能。
Public/Granted literature
- CN117085717A 一种K-C3N4@Bi2WO6光催化材料、其快速合成方法及其应用 Public/Granted day:2023-11-21
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